Samsung, 430 katmana kadar 9. ve 10. Nesil V-NAND çözümlerini tanıtarak NAND flash endüstrisini yeni bir seviyeye taşımayı planlıyor.
Samsung, Gelecek Yıl Tanıtılacak 10. Nesil V-NAND Teknolojisinin Bir Parçası Olarak 430 Katmana Kadar NAND Flash Bellek Üretiyor
NAND flash piyasaları, zayıflayan tüketici talebi ve yüksek stok seviyeleri sayesinde, art arda son çeyreklerde içinde bulundukları zorlu ekonomik durumdan hızla toparlanıyor. Ancak artık bu süreci atlattığımıza göre, inovasyon katmanı devreye girmiş gibi görünüyor ve 9. Nesil V-NAND flaş adı verilen nispeten üst düzey NAND türünü piyasaya süren de Samsung’dan başkası değil. Bu tür, birbiri üzerine yığılmış çok sayıda 290 katmana sahiptir ve pazarlar için yeni bir ölçüt oluşturmaktadır.
Kore medya kuruluşları Samsung’un önümüzdeki ay 9. Nesil NAND standardını piyasaya sürmeyi planladığını ve muhtemelen 236 katman istifleme içeren önceki neslin yerini alacağını bildirdi. Öyle görünüyor ki endüstri muhtemelen “katman istifleme” yarışına sürükleniyor ve Samsung, SK Hynix ve Kioxia gibi rakiplerinden açık ara önde görünüyor. İlginç bir şekilde Koreli dev, gelecek yıl piyasaya sürülmesi beklenen şok edici 430 katmanlı istiflemeye (10. Nesil V-NAND) sahip bir NAND ürününü de duyurdu.
Samsung’un en son 9. Nesil NAND sürecinin bir diğer heyecan verici yönü de, birden fazla kanal deliğinden daha fazla katmanın sıkıştırılmasına odaklanan “çift istifleme” tekniğidir. Bu teknik, tek tek hücreleri birbirine bağlamak için elektrik kullanır. Delme tekniği yalnızca daha yüksek ara bağlantı verimliliği sağlamakla kalmaz, aynı zamanda bu işlem geleneksel istifleme yöntemlerine kıyasla çok daha ucuzdur.
NAND ürünlerinin kullanımı, tonlarca yüksek hızlı depolama gerektirdiğinden yapay zeka çıkarımına dahil olan ürünlerin kullanımı nedeniyle son birkaç ayda radikal bir şekilde arttı. Sonuçta bu, Samsung gibi NAND flash üreticileri için bu segmentteki gelişmeleri hızlandıracak olan büyük talebin geleceğe taşınmasına yol açtı.
Haber kaynağı: Hankyung