Kore’den gelen şaşırtıcı bir rapor, Samsung Foundry’nin 2nm işlem düğümüyle yapılacağını söylediği çiplerin aslında ikinci nesil 3nm düğümüyle üretilebileceğini belirtiyor. Bu kafa karıştırıcı ve yanıltıcı geliyorsa kesinlikle haklısınız. Gelecek yıl en son teknolojiye sahip 2 nm düğüm kullanılarak çip yapılmasını bekleyen bir Samsung Foundry müşterisi olduğunuzu ve bunların ikinci nesil 3 nm düğüm kullanılarak üretildiğini öğrendiğinizi hayal edin.
Başka bir deyişle Samsung Foundry, ikinci nesil 3nm düğümünü 2nm olarak yeniden adlandırıyor. Başına
Wccftech (aracılığıyla
ZDNetFablsız yarı iletken endüstrisinden bir yönetici (bu, şirketinin herhangi bir üretim tesisine sahip olmadığı ve tasarladıkları çipleri üretmek için Samsung Foundry ile sözleşme yaptığı anlamına gelir) şunları söyledi: “Samsung Electronics tarafından çiplerin değişeceği yönünde bilgi aldık. 2. nesil 3-nano teknolojiden 2-nano teknolojiye. Geçtiğimiz yıl Samsung Electronics Foundry’de 2. nesil 3-nano teknolojisi için imzalanan sözleşmenin adı da 2-nano teknoloji olarak değiştirildi ve sözleşme yakın zamanda yeniden yazıldı.”
Geçen ay, Preferred Networks’ün (PFN), Samsung Foundry’nin 2nm düğümünü kullanarak çip tasarımlarını gerçek bir çipe dönüştürmek için noktalı çizgide imza atan ilk müşteri olduğunu size anlatmıştık. Görünüşe göre yeni rapor, siparişin aslında Samsung Foundry’nin ikinci nesil 3nm düğümü kullanılarak üretilecek çipler için olduğunu söylüyor. Samsung Foundry’nin gelecek yılın ikinci yarısında 2nm çiplerin seri üretimine başlaması bekleniyor. Ancak bu rapor doğruysa bu yıl ikinci nesil 3nm düğümünü kullanarak çip üretmeyi planladığı için bu oran yukarı çekilecek.
Samsung Foundry ikinci nesil 3nm düğümünü 2nm olarak adlandırıyor
Fabrikasız yarı iletken sektöründe daha önce adı geçen yönetici, ikinci nesil 3nm düğümden 2nm’ye isim değişikliğinin, Samsung Foundry’nin optimizasyonlar kullanarak çip için transistörlerin boyutunu küçültebilmesi nedeniyle yapıldığını söyledi. Bu, yeniden adlandırılan 2nm çipin içine daha fazla transistörün sığmasına olanak tanıyacak ve performans artışı ve/veya enerji verimliliği sunacak.
Dikkate alınması gereken başka bir şey. Samsung Foundry’nin bu isim değişikliğine ayak uydurabilmesinin bir başka nedeni de, TSMC’den farklı olarak Samsung Foundry’nin 3nm işlem düğümüyle halihazırda Gate-All-Around (GAA) transistörlerini kullanıyor olmasıdır. TSMC, 2025 yılında 2 nm üretimiyle FinFET’ten GAA transistörlerine geçiş yapıyor. GAA transistörleri, dikey olarak yerleştirilen yatay nano tabakaların kullanımı sayesinde kanalın dört kenarını da kaplayan bir kapıya sahip.
GAA transistörleri akım sızıntılarını azaltır ve sürücü akımını artırır. Bu, çipin performansını artıran transistörlerin içinden ve arasından geçen gelişmiş elektrik sinyalleri ile sonuçlanır.
Bu konuda Samsung Foundry’den ve hatta TSMC ve Intel’den daha fazlasını duyacağımızdan eminiz. En son gelişmeler için bizi kontrol etmeye devam edin.
