Samsung, yıllık Samsung Foundry Forum (SFF) 2023’te güncellenmiş üretim teknolojisi yol haritasını açıkladı. Şirket, sırasıyla 2025 ve 2027’de 2nm ve 1.4nm sınıfı düğümlerinde çip üretme yolunda ilerliyor. Buna ek olarak şirket, ileri teknoloji ürünü 5nm sınıfı bir radyo frekansı üretim süreci eklemeyi ve önümüzdeki yıllarda GaN yongaları üretmeye başlamayı planlıyor.

Samsung, SF2 (2nm sınıfı) üretim teknolojisinin %25 daha yüksek güç verimliliği (aynı frekans ve transistör sayısında), %12 daha yüksek performans (aynı güç ve karmaşıklıkta) ve %5 alan azalması sağlamasını beklemektedir. (aynı transistör sayısında) SF3 (2. Bu arada, SF1.4 (1.4nm sınıfı) üretim sürecinin 2027’de Samsung müşterilerinin kullanımına sunulması öngörülüyor.

Samsung, SF2 düğümünü daha rekabetçi hale getirmek için, müşterilerinin kısa süre içinde LPDDR5x, HBM3P, PCIe Gen6 ve 112G SerDes gibi arabirimler de dahil olmak üzere yüksek kaliteli SF2 IP koleksiyonuna erişebilmelerini sağlamayı amaçlıyor.

(İmaj kredisi: Samsung)



genel-21