On yıldan fazla bir süredir gölgelerde gizlenen bir Japon bellek girişimi, bir patlama ile ortaya çıktı. Neo Semiconductor, 3D X-DRAM adı verilen bir teknoloji kullanarak mevcut ürün olan 16Gbit DRAM’den 8 kat daha yoğun olan DRAM yongaları üretmek istediğini duyurdu.

Adından da anlaşılacağı gibi, şimdilik toplam 230 malzeme katmanı olacak ve 128 Gbit DRAM yongası üretmesine yardımcı olacak. Buna karşılık, Samsung ufukta 1 TB bellek modülleriyle 2023’te 32 Gbit DDR5 DRAM yongasını piyasaya sürmeyi hedefliyor.



işletim-sistemi-1