Samsung, bu yılın başlarında 3GAE (3nm sınıfı, çok yönlü erken dönem) proses teknolojisini kullanarak toplu çip üretimine başladığını duyurduğunda, öncü düğümünde ne tür bileşenler ürettiğini hiçbir zaman açıklamamıştı. Görünüşe göre Samsung, kripto para madenciliği için uygulamaya özel bir entegre devre (ASIC) oluşturmak için 3GAE kullanıyor.

Samsung 3GAE üretim teknolojisi, Samsung’un MBCFET’ler (çok köprü kanallı alan etkili transistörler) olarak adlandırdığı çok yönlü kapı (GAA) transistörlerine dayanan endüstrinin ilk sürecidir. GAA transistör mimarisi, kapı artık dört taraftan kanal tarafından çevrelendiğinden kaçak akımı azaltır; ayrıca kanal(lar)ın kanal kalınlığını ayarlayarak transistör performansının ve güç tüketiminin değiştirilmesini sağlar. GAAFET’ler özellikle yüksek performanslı ve mobil uygulamalar için faydalıdır, bu nedenle Intel ve TSMC gibi şirketler 2024 – 2025’te bunları kullanmak için çok çalışıyor.



genel-21