Bu içerik Micron ile ortaklaşa hazırlanmıştır.
Geniş bilgi işlem dünyasında, bazen görebileceğiniz yenilikler vardır – artırılmış yeteneklere sahip diğerlerinden daha büyük bir işlemci veya içinde güçlü bir makine bulunan süper ince bir dizüstü bilgisayar kasası gibi – ve bazen göremediğiniz yenilikler vardır. İkincisi için, bu yenilik, başka bir teknolojinin çekirdeğinin içinde gerçekleşme eğilimindedir. Örneğin, daha büyük depolama kapasiteleri ve benzeri görülmemiş okuma ve yazma hızlarıyla birlikte giderek daha ince hale gelen katı hal sürücülerini ele alalım. Gerçek başarı, bu sürücülerin içindeki teknolojidir. Bilgisayarlar her geçen gün daha hızlı ve daha güçlü büyürken, her yerde mükemmel bir deneyim sağlar. Micron’un son başarısında olan da tam olarak budur: özünde bir gofretten başka bir şey olmayan 232 katmanlı 3D NAND. Bu yeni teknolojinin sağlayacağı saf olasılıklar çok büyük.
Micron, bu teknolojinin nerede sunulacağını henüz açıklamaya hazır olmasa da, önemli olan kısım, bu çok katmanlı ilerlemenin, özellikle de depolama yetenekleri söz konusu olduğunda, yeni bir uçtan uca teknoloji inovasyonu dalgasının temelini oluşturmasıdır. İnanılmaz depolama yoğunluğu, gelişmiş performans ve endüstri lideri G/Ç hızları sunmak sadece bir başlangıç. 232 katmanlı 3D NAND, istemci, mobil ve veri merkeziyle ilgili pazarlarda dijitalleştirme, performans optimizasyonu ve genel otomasyon için tamamen yeni olasılıkların kilidini açacak. Başka bir deyişle, yüksek performans ve her yerde bulunan bir dizi uygulamanın yanı sıra daha yüksek kapasiteler için – çok daha yüksek – artırılmış depolama yoğunluğu sunar.
Micron’un 232 katmanlı 3D NAND’ı nedir?
Mümkün olan en kısa açıklamayı sunmak için bu teknoloji, modern depolama yeniden tanımlanmıştır. 3D NAND, toplam alanı sürekli olarak artırmak yerine yarı iletkenler oluşturmak için birbirine bağlı devre katmanlarını istiflemeyi içeren “yapma değil inşa etme” yaklaşımının başlangıcını gördü. Micron, şaşırtıcı 176 katmanlı NAND teknolojileriyle 2020’de çıtayı belirledi. Şimdi, Micron bu çıtayı yükseltti, tasarımı 232 dikkat çekici yoğun katmana ölçeklendirdi ve gofret üzerindeki her bir çipi inanılmaz derecede küçük tuttu. Gökdelen benzeri istiflemeden bahsediyoruz, ancak mikroskobik düzeyde! Biraz daha detaylı inceleyelim:
Sınıfının en iyisi performansı: 232 katmanlı NAND, saniyede 2,4 gigabayt (GBps) ile endüstrinin en yüksek G/Ç hızına sahiptir. Evet, gigabayt. Bu benzeri görülmemiş performans, aynı zamanda AI, bulut bilişim ve gerçek zamanlı analitikte görülen veri merkezli iş yükleri için çok önemli olan düşük gecikme süresi ve yüksek verim ile tamamlanmaktadır. Yalnızca geleneksel depolama kullanımı için değil, tüm bu uygulamalar için performansı büyük ölçüde artırabilir.
İnanılmaz veri yoğunluğu: Sabit sürücüler, verileri plakalarda depolar ve katı hal sürücüleri, verileri NAND yongalarında depolar. Her sürücüde veya SSD’de mümkün olduğunca fazla veri depolayabilmenin yüksek bir değeri vardır – bu da daha yüksek yoğunluklu depolama arzusunu destekler – mümkün olan en küçük fiziksel alana daha fazla bit sıkıştırır. Micron’un NAND’ı dünyanın en yoğun TLC yongasıdır, yani 14,6 GB/mm² ile şimdiye kadar üretilmiş milimetre kare yonga alanı başına en yüksek depolama bit yoğunluğuna sahiptir. Bunu, konfigürasyon ve kurulum açısından müşterilere uygun tasarım esnekliği sağlarken başarır. Kolayca ayrıştırılabilir sayılara dönüştürmek için, 232 katmanlı NAND’ın alan yoğunluğu, rakip TLC ürünlerinden %100’e kadar daha yoğundur ve çok daha yüksek kapasiteli sürücü çözümlerine olanak tanır.
Daha büyük depolama kapasitesi: SSD’ler inanılmaz bir okuma ve yazma performansı sunarken, modern katı hal sürücülerin tarihsel dezavantajlarından biri, toplam kapasitenin genellikle en büyük mekanik sabit sürücülerin maksimum kapasitelerinden daha düşük olmasıdır. 232 katmanlı NAND, kalıp başına 1 terabit ve paket başına 2 terabayt olasılığı ile daha fazla depolama kapasitesi sağlar. Genellikle bu küçük paketlerin çoğunu içeren SSD içindeki her paketle daha fazla kapasite sunarak, sürücünün toplam kapasitesini yükseltir. Sonuç, kişisel bilgi işlemden buluta kadar tüm sektörde daha akıllı, daha işlevsel cihazlarla daha fazla depolama alanı olacaktır.
Sıradan için ne anlama geliyor?
Sektörü yakından takip etmezseniz, bu sayıların ve özellik listelerinin bazılarında kaybolabilirsiniz, ancak ana fikir, depolama sürücülerinin çok daha yetenekli hale gelmek üzere olmasıdır – sadece depolama kapasitesi açısından değil, aynı zamanda performans, optimizasyon ve genel tasarım. Bu, muhtemelen çıplak gözle göremeyeceğiniz türden bir yenilik çünkü çoğu diğer teknolojilerin merkezinde, özellikle de bir depolama sürücüsünün içinde gerçekleşecek. Bununla birlikte, kullanıma sunulduğunda performans artışını kesinlikle hissedeceksiniz.
I/O güçlendirmeleri sayesinde daha yüksek okuma ve yazma hızları, yalnızca daha hızlı yükleme süreleri, daha iyi genel performans ve en yeni akıllı telefon, dizüstü bilgisayar veya özel cihaz hakkında konuşuyor olun, her yönden daha yetenekli bir makine sağlayacaktır. inşa edilmiş bilgisayar.
Üreticiler için ne anlama geliyor?
Size işinizi nasıl yapacağınızı söylemeyeceğiz ve muhtemelen söyleyemeyiz – dürüst olalım. Bununla birlikte, bu teknoloji, ister kişisel bilgi işlem, uç bilgi işlem veya bulut bilişim uygulamaları için kullanılacak olsun, yenilik için yeni fırsatlar sağlar. Micron’un 232 katmanlı NAND’ı sayesinde müşteriler, yatırımcılar ve ortaklar yakında yoğunluk, kapasite, performans ve hatta güç verimliliğinde en son gelişmeleri gerçekleştiren yeni nesil depolama özelliklerini deneyimleyebilecekler.
İlk ürünler, takip edilecek daha fazla ayrıntı ile sevk edilmeye başlandı. Ek 232 katmanlı NAND tabanlı ürünler 2022 ve 2023’te piyasaya sürülecek. Hepimiz, özellikle mevcut nesil 176 katmanlı NAND mimarisi zaten etkileyici olduğundan, Micron’un 232 katmanlı 3D NAND’ın sağlayacağı geliştirmeleri dört gözle bekleyebiliriz.