Samsung, DDR6 bellek modüllerini piyasaya sürmeye hazırlanıyor. Kaynaklar, Güney Koreli teknoloji devinin DDR6 yongaları üretmek için değiştirilmiş Yarı Katkılı İşlem (mSAP) paketleme teknolojisini tanıtmayı planladığını söylüyor.
Samsung Başkan Yardımcısı Yangwang Koh’a göre, paketleme teknolojisi, daha güçlü hale geldikçe bellek modülleriyle birlikte gelişmeli. MSAP işleminin DDR6 bellek yongalarına uygulanması, Samsung’un daha gelişmiş yongalar oluşturmasını sağlayacaktır. Samsung’un rakiplerinin DDR5 bellek için mSAP sürecini zaten kullandığını ve Samsung’un bu paketleme teknolojisini DDR6 için kullanmaya çalıştığı bildiriliyor.
Güney Koreli teknoloji devinin geçen hafta 24 Gb / s işlem hızına sahip, yani 24 GHz frekansa sahip ilk GDDR6 bellek yongalarını tanıttığını hatırlayın. Aynı zamanda şirket DDR6 (GDDR6 ile karıştırılmamalıdır) üzerinde çalışmaya devam ediyor. Mevcut verilere göre, DDR6’nın geliştirilmesi 2024 yılına kadar tamamlanabilir.
DDR6’nın DDR5’ten iki kat daha hızlı olması ve iki kat daha fazla bellek kanalına sahip olması bekleniyor. DDR6, JEDEC modüllerinde yaklaşık 12.800 Mbps veya hız aşırtıldığında 17.000 Mbps aktarım hızlarına ulaşabilecek.
Geçen yılın başlarında Samsung, DDR4 çözümlerinden %40 daha hızlı performans sunan dünyanın ilk 512GB DDR5-7200 belleğini duyurdu.