DDR5 bellek, birkaç ay önce ana akım haline geldi ancak Samsung, yeni nesil DDR6 belleğin erken geliştirme sürecinde zaten.
Samsung, DDR6 Belleğinin Erken Geliştirmesinin Zaten Başladığını Doğruladı, MSAP Teknolojisini Kullanıyor ve 17.000 Mbps’ye Kadar Hız Sunmayı Amaçlıyor
sırasında seminer Güney Kore’nin Suwon kentinde, Samsung’un Test ve Sistem Paketinden (TSP) sorumlu Başkan Yardımcısı, gelecekte belleğin performansı arttıkça paketleme teknolojisinin de gelişmesi gerektiğini açıkladı. Şirket, MSAP teknolojisini kullanacak olan yeni nesil DDR6 belleğinin erken geliştirme aşamalarında olduğunu doğruladı.
Samsung’a göre MSAP, rakipleri (SK Hynix ve Micron) tarafından DDR5’te zaten kullanılıyor. Peki MSAP’taki yenilikler neler? MSAP veya Modifiye Yarı Katkılı İşlem, DRAM üreticilerinin daha ince devrelere sahip bellek modülleri oluşturmasına olanak tanır. Bu, daha önce el değmeden bırakılan boş alanlarda devre kalıplarının kaplanmasıyla elde edilir ve daha iyi bağlantılar ve daha hızlı aktarım hızları sağlanır. Yeni nesil DDR6 bellek, devre bağlantısını geliştirmek için yalnızca MSAP’yi kullanmakla kalmayacak, aynı zamanda DDR6 belleğe dahil edilecek artan katman sayısına da uyum sağlayacaktır.
Önceki cezbedici yöntem, yalnızca dairesel bakır levhanın, diğer alanların oyulması sırasında devre desenlerinin oluşturulacağı alanları kapladı.
Ancak MSAP’ta devrelerin dışındaki alanlar kaplanır ve boş alanlar kaplanır, bu da daha ince devrelere izin verir. Başkan Yardımcısı, bellek yongalarının kapasitesi ve veri işleme hızı arttıkça paketlerin buna uyacak şekilde tasarlanması gerektiğini söyledi. Ko, katman sayısı arttıkça ve süreçler daha karmaşık hale geldikçe, bellek paketi pazarının da katlanarak büyümesinin beklendiğini söyledi.
G/Ç terminallerinin, top düzenini korurken yongaların küçülmesine izin vermek için yonganın dışına yerleştirildiği bir başka paketleme teknolojisi olan fan çıkışı açısından, Samsung hem fan out-wafer seviye paketleri (FO-WLP) hem de fan uyguluyordu. panel dışı seviye paketleri (FO-PLP).
Samsung, DDR6 tasarımının 2024 yılına kadar tamamlanmasını bekliyor, ancak ticari kullanım 2025’ten sonra beklenmiyor. Teknik özellikler açısından, DDR6 bellek, 12.800 Mbps’ye kadar aktarım hızlarıyla (JEDEC) mevcut DDR5 bellekten iki kat daha hızlı olacak. ) ve 17.000 Mbps aralığını aşan hız aşırtmalı hızlar. Şu anda, Samsung’un en hızlı DDR5 DIMM’i 7.200 Mbps’ye kadar aktarım hızına sahip, bu nedenle JEDEC’te 1,7 kat ve yeni nesil bellek yongaları için hız aşırtmalı hızlarda 2,36 kat iyileştirme.
Bununla birlikte, bellek üreticileri önümüzdeki gelecekte DDR5-12600’e varan hızları zaten vurguladılar, bu nedenle DDR5 kesinlikle tüketici platformları için potansiyele sahip. AMD’nin Zen 4 ve Intel’in Raptor Lake CPU platformlarının piyasaya sürülmesiyle bu yıl daha hızlı ve daha iyi ayarlanmış DDR5 bellek modüllerini bekleyin.
Haber kaynağı: SAMMOBİL
